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我司氮化硅高導(dǎo)熱粉采用高純硅粉直接氮化工藝，通過對(duì)所用硅料、氮化工藝和細(xì)化工藝的獨(dú)特專利技術(shù)控制，制備出高純度、高α相含量、粒度分布均勻、燒結(jié)活性高的基板級(jí)氮化硅專用粉體。
高性能氮化硅基板專用粉體，無需添加燒結(jié)助劑，基板密度可達(dá)3.22g/cm3，熱導(dǎo)率90W/(m·K)，抗彎強(qiáng)度700MPa，斷裂韌性6.5MPa·m1/2，絕緣電壓18kV/mm，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國際**水平，得到了行業(yè)領(lǐng)軍客戶的高度認(rèn)可。
氮化硅高導(dǎo)熱粉產(chǎn)品之優(yōu)勢：高強(qiáng)度、高硬度、高電阻率、抗熱震性好、低介電損耗和低膨脹系數(shù)等。
氮化硅高導(dǎo)熱粉性能指標(biāo)：
產(chǎn)品名稱 | 氮化硅高導(dǎo)熱粉 | 規(guī)格型號(hào) | DHG-GDRF-01 | ||
檢驗(yàn)項(xiàng)目 | 判定標(biāo)準(zhǔn) | 檢測方法 | 實(shí)測 | 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) | |
α相含量（%） | ≥92 | X射線衍射法 | 94.3 | JIS R1640 | |
o（%） | ≤1.5 | 紅外吸收法 | 1.32 | ASTM C1494 | |
N（%） | ≥38.5 | 紅外吸收法 | 38.9 | ASTM C1494 | |
粒度D50(um) | ≤10 | 激光衍射法 | 9.7 | GB/T 19077.1 | |
雜質(zhì) | Fe/ppm | ≤5 | ICP-AES 法 | 374 | SG-GC-07.1-2009 |
成份(ppm) | |||||
A1/ppm | ≤5 | ICP-AES 法 | 231 | SG-GC-07.1-2009 | |
Ca/ppm | ≤5 | ICP-AES 法 | 306 | SG-GC-07.1-2009 | |
氮化硅高導(dǎo)熱粉應(yīng)用領(lǐng)域：用于制做氮化硅基板及高導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)件等產(chǎn)品。
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